IGBT অর্থ হলো ইনস্যুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর। BJT এবং মসফেটের উভয় প্রকার সুবিধাই ইনস্যুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর বিদ্যমান। IGBT এর ইনপুট ইম্পিড্যান্সের মান মসফেটের মত উচ্চমানের এবং এক প্রকার ভোল্টেজ কন্ট্রোল ডিভাইস। এটি BJT এর তুলনায় তাৎক্ষনিক ভাবে দ্রুত কাজ করে। কিন্তু BJT এর দ্বিতীয় ব্রেকডাউন সমস্যা নেই। BJT এর মত সমতুল্য ড্রেন টু সোর্স রেজিস্ট্যান্স, Rds কে চিপ ডিজাইন এবং গঠন দ্বারা নিয়ন্ত্রণ করা যায়। IGBT তে সিলিকন ক্রস সেকশন চিত্রে দেখানো হলো যা মসফেটের P+ substrate ব্যতীত

IGBT এর পারফরমেন্স মসফেটের চেয়ে BJT এর কাছাকাছি। এটি P + substrate এর কারণেই হয়, যা n- এলাকায় মাইনোরিটি ক্যারিয়ার ইনজেকশন এর জন্য দায়ী। নিচে IGBT এর সমতুল্য সার্কিট দেখানো হলোঃ

নিচে IGBT এর সরলীকৃত সার্কিট দেখানো হলো-

ইনস্যুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর চার পরিবর্তনীয় PNPN লেভেল দ্বারা তৈরি করা হয় এবং প্রয়োজনীয় শর্ত এর মাধ্যমে থাইরিস্টরের মত কাজ করতে পারে। ল্যাচিং কে উপেক্ষা করে n+ বাফার লেভেল এবং wide epi বেস, ইন্টারনাল ডিজাইন দ্বারা NPN টার্মিনালের গঠনকে কমাতে পারে। IGBT হলো পাওয়ার মসফেটের মতো একটি ভোল্টেজ কন্ট্রোলড ডিভাইস। এটি BJT হতে দ্রুততম।

IGBT এর তিন টার্মিনাল যথাক্রমে গেট, কালেক্টর এবং ইমিটার যেখানে মসফেটের বেলায় গেট, ড্রেন এবং সোর্সের প্যারামিটার এবং প্রতীক মসফেটের মতোই। সিঙ্গেল IGBT এর কারেন্ট রেটিং ৪০০ অ্যাম্পিয়ার, ১২০০ ভোল্ট পর্যন্ত হতে পারে সুইচিং ফ্রিকুয়েন্সি ২০ কিলো হার্জ পর্যন্ত হতে পারে।

IGBT এর কার্যনীতিঃইনস্যুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর

ইনপুট সাপ্লাই ভোল্টেজে এমনভাবে লোড এবং IGBT এর ইমিটার এর মাঝে প্রদান করা হয় যাতে IGBT টার্ন অন না হয়। এই অবস্থায় IGBT এর গেটে ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে একটি ইলেকট্রিক ফিল্ড তৈরি হয় যা নিয়ন্ত্রণ এর মাধ্যমে লোড কারেন্ট কম বেশি করা হয়। এটি ১২০০ ভোল্ট, ৪০০ অ্যাম্পিয়ার রেটিং এ সাধারণত কাজ করে। এতে আউটপুট ওয়েভ ও সার্কিট চিত্র উপরে দেখানো হল।

Facebook Comments